半導体研究機関のimecが、次世代構造であるCFETの課題解決に向けた技術「Improved Backside Contacting for CFET」を説明した。PMOSの性能向上のため、新たな絶縁層の導入や、位置合わせ精度をあえて緩める「Notch Alignment」などの手法を提案。中立的な立場から最先端半導体の製造技術向上に貢献する姿勢を示している。 CFETは微細化の鍵となる技術であり、課題であるPMOSや製造プロセスの改善策を中立機関のimecが示したことは、次世代半導体の実用化に向けた重要な進展と言える。